FilmTek™2000M TSV先進的半導體封裝測量系統為通過矽通孔（TSV），銅柱，凸塊，重新分佈層（RDL）和其他方法的高通量測量抗蝕劑厚度提供了無與倫比的速度，精度和精度組合包裝過程。
TSV蝕刻深度和深度均勻性對於確保TSV製造期間的高產量至關重要。 FilmTek™2000M TSV可輕鬆確定直徑大於1μm的通孔結構的蝕刻深度，最大蝕刻深度可達500μm。其他功能還包括測量微凸起，溝槽以及各種其他結構和應用的高度或深度，關鍵尺寸和膜厚度。
測量功能：TSV刻蝕深度，凸點高度，臨界尺寸和薄膜厚度
晶圓處理：Brooks或SCI
基板尺寸：200或300mm
模式識別：Cognex
CD精度（1σ）：<0.2％
刻蝕深度精度（1σ）：<0.005 ％
薄膜厚度範圍：
膜厚精度（1σ）：<0.005％
光源：鹵素燈
檢測器類型：2048圖元線性CCD陣列
