可減少200mm晶圓測量時間 - 行業領先的1.25x高速輸送量 - E ++等效模式下可處理每小時56片晶圓，具有全晶圓mapping和2mm邊緣排阻
E類比模式每小時處理90+片晶圓，3mm邊緣排除
納米級解析度，雙探頭MicroSense電容測量系統，可根據SEMI標準實現高靈敏度和高重複性測量
每200mm晶圓可測量超過200,000個資料點
機器全自動自動校準 - 每班次可測量更多晶圓
專為可靠性和長期支援性而設計 - UltraMap具有現代化的高可靠性系統設計，具有直接驅動精密空氣軸承rtheta晶圓臺和在Windows電腦上可運行的軟體。
非接觸200 mm精密空氣軸承rtheta台
雙臂機器手臂和預對準器
可調3點晶圓支架
盒式分類; 5個卡匣（2進3出）
集成光幕安全系統
可選SECS / GEM介面
可選低或高或兩者兼有的電阻率
可選P / N型感測器
雙面SEMI標準電容測量
2mm去邊距離
完全可程式設計的測量路徑，包括傳統系統的模擬。 1.9mm標準測量環間距。
精度 | 重複性 | 絕對範圍 | |
厚度 | ±0.25μm | 0.06μm | 標稱厚度為 ±150μm |
全球平坦度 | ±0.06μm | 0.02μm | |
位置點平坦度 | ±0.06μm | 位置點的90%：0.011μm | |
位置點的90%：0.025μm | |||
形狀（Bow/Warp） | ±(1.5 +讀數的 3%) μm | ±(0.5 + 讀數的1%) μm | ±150 μm |
晶圓屬性：
材料矽晶圓 - 蝕刻，研磨或拋光
晶圓直徑200mm（可選150mm）
晶圓厚度300μm至1200μm
Notch，平邊（主/次）支援最多每片立昂個SEMI標準
邊緣排除可調節;距晶圓邊緣最多2毫米
資料密度和輸送量：
資料點的數量，200mm晶圓全晶圓圖大於200,000
系統輸送量 - 2mm留邊：56每小時200毫米晶圓，全晶圓掃描
系統輸送量 - E模擬模式，3mm留邊：每小時90 + 200毫米晶圓，全晶圓掃描
選項 - 電阻率測量
低量程模組 - 測量範圍0.001 - 0.999歐姆 - 釐米
高量程模組 - 測量範圍為0.2 - 199.9歐姆 - 釐米
電阻率量具配置 - 低，高或兩者
P / N型感測器 - 可選非晶圓P型或N型非接觸檢測
矽片分選和卡夾
排序標準可配置排序，多種分選選項
卡夾數量5個 – 標準機型2進，3出
晶圓測量
晶圓厚度全晶圓掃描，5點或中心點
形狀鞠躬/ Warp / SORI使用3點或最適合參考
全球平坦度SEMI GBIR，TIR，FPD，FPD％，5點TTV
場地平整度SFQR / SFQD，SBIR / SBID和所有SEMI M1標準，具有8-30毫米的場地尺寸和可變的偏移量
選項
電阻率計（低電平或兩者都有），P / N型感測器，邊緣夾持末端執行器和邊緣夾持預對準器，SECS / GEM介面，用於非常高解析度晶片的光學退火
機器認證SEMI S2，CE
